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eeettt123
2024-06-21
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DRAM SRAM和行列通选线的问题
DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器）在存储器的组织和寻址方式上有所不同，这影响了它们与片选线、行通选线和列通选线的对应关系： DRAM： 行通选线（Row Address Strobe, RAS）：用于选择DRAM芯片中的一行地址，确定要访问的存储单元的行位置。 列通选线（Column Address Strobe, CAS）：在行被选中后，用于选择DRAM芯片中的一列地址，确定要访问的存储单元的列位置。 **片选线（Chip Select, CS）：用于激活或禁用特定的DRAM芯片，允许对选中的芯片进行读写操作。** SRAM： **SRAM通常不使用行通选线和列通选线，**因为它的存储单元是直接寻址的。每个存储单元都有一个唯一的地址，可以直接通过地址总线访问。 片选线（Chip Select, CS）：**尽管SRAM不使用行和列通选线，但在多芯片系统中，片选线仍然可能用于选择特定的SRAM芯片或模块。** 在实际应用中，DRAM和SRAM的寻址和控制方式可能因制造商和设计而有所不同，但基本的对应关系如下： DRAM：需要行通选线和列通选线来进行二维寻址，片选线用于选择特定的DRAM芯片。 SRAM：通常不需要行通选线和列通选线，因为它使用直接寻址方式，片选线可能用于选择特定的SRAM芯片。 在设计存储器接口时，这些信号线的作用是确保数据能够被正确地写入或从存储器中读取。不同类型的存储器根据其设计和使用场景，可能会有不同的信号线和寻址机制。
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计算机组成原理
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作者
eeettt123
发布日期
2024-06-21
其他信息 : 其他三字母的人名首字母都是其他同学发布的哦
